ITO顯影劑也稱(chēng)為造影劑或?qū)Ρ葎?，是一種X光無(wú)法穿透的藥劑，用于讓體內(nèi)組織在X光檢查時(shí)能看得更清楚。例如消化道攝影時(shí)，醫(yī)師會(huì)讓患者喝下一杯顯影劑溶液（大多含鋇），然后用各種角度照相，就能讓胃腸道看得很清楚。如果顯影只是在光強(qiáng)較大的地方產(chǎn)生游離銀，而對(duì)底片不做進(jìn)一步處理，則把它一拿出暗室，未顯影的鹵化銀就會(huì)立刻曝光。此后，幾乎任何還原劑都將使底片完全形成灰霧。為了克服這個(gè)問(wèn)題，必須找到一種適當(dāng)?shù)奈镔|(zhì)以除去未還原的鹵化銀。黑白照相中較常用的定影液是硫代硫酸鈉溶液。其中的硫代硫酸根離子（S2O32-）與銀離子形成可溶于水的穩(wěn)定配合物，因而達(dá)到“固定”底片的目的。ITO顯影液的市場(chǎng)需求會(huì)隨著電子行業(yè)的...

當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問(wèn)題；此外，為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問(wèn)題，因此，該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小，例如：孔徑a0小于3mm，即可因毛細(xì)現(xiàn)象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內(nèi)的夾角θ等于該水滴與該第二擋...

可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉(zhuǎn)化為金屬銅，起到循環(huán)電解蝕刻液的作用；裝置主體1左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵19，抽氣泵19下方設(shè)置有集氣箱21，集氣箱21與抽氣泵19之間連接有排氣管20，電解池4下端連接有二號(hào)排液管22，二號(hào)排液管22內(nèi)部上端設(shè)置有二號(hào)電磁閥23，裝置主體1內(nèi)部底端靠近左側(cè)設(shè)置有傾斜板24，裝置主體1前端表面靠近左上邊角位置設(shè)置有活動(dòng)板25，分隔板2右端放置有蓄水箱26，蓄水箱26上端靠近右側(cè)連接有進(jìn)水管27，回流管15下端連接有抽水管28，抽水管28內(nèi)部上端設(shè)置有三號(hào)電磁閥29，裝置主體1前端表面靠近右側(cè)安裝有控制面板30，傾斜板24的傾斜角度設(shè)計(jì)為10°，活動(dòng)板...

鋁板面蝕刻用：酸、堿都行。（鋁板是兩性材料，既能與酸反應(yīng)，又能與堿反應(yīng)，所以腐蝕液有的用堿性材料腐蝕，有的用酸性材料腐蝕，一般情況下，以酸性材料腐蝕的為多，堿性材料可以洗白。下好料的鋁板用棗木碳研磨，去掉油膩、劃痕，磨出啞光表面。然后用絲網(wǎng)版印上紋樣，油墨型號(hào)為80-39、80-59、80-49等。這種耐腐蝕油墨細(xì)膩，印出的紋樣質(zhì)量高。印完紋樣后放進(jìn)電爐內(nèi)烘干，然后用即時(shí)貼封住后面，用膠帶封邊，進(jìn)入腐蝕工藝。鋁板的腐蝕液配方如下：三氯化鐵50%硫酸銅50%水適量，波美度15～20°之間，鋁板腐蝕時(shí)應(yīng)平放，在腐蝕的過(guò)程中紋樣上溢出赭紅色的滓渣，應(yīng)隨時(shí)用毛刷去掉，鋁面上冒出大量泡泡，滓渣隨泡泡浮起...

使硝酸鉀儲(chǔ)罐21和其它儲(chǔ)罐的內(nèi)部形成一個(gè)密閉的空間，避免環(huán)境外部的雜質(zhì)進(jìn)入儲(chǔ)罐內(nèi)，有效的提高了裝置使用的密封性；緊接著，將磷酸與醋酸在個(gè)攪拌倉(cāng)23中充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆颍缓笤诘诙€(gè)攪拌倉(cāng)23中與硝酸充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆蚝?，再進(jìn)入配料罐中混合，將陰離子表面活性劑和聚氧乙烯型非離子表面活性劑在第三個(gè)攪拌倉(cāng)23混合后再進(jìn)入第四個(gè)攪拌倉(cāng)23中，與氯化鉀、硝酸鉀、去離子水一起在第四個(gè)攪拌倉(cāng)23中混合均勻，然后過(guò)濾后封裝，先檢查過(guò)濾板26進(jìn)行更換或安裝，過(guò)濾部件9的內(nèi)部?jī)蓚?cè)嵌入連接有過(guò)濾板26，常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蝕刻液雜質(zhì)含量多，過(guò)濾板26能將蝕刻液內(nèi)部的...

很好的對(duì)注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的整體示意圖；圖2為本實(shí)用新型的a處放大示意圖；圖3為本實(shí)用新型的b處放大示意圖；圖4為本實(shí)用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，3、過(guò)濾除雜裝置，4、翻折觀察板，401、觀察窗翻折滾輪，402、內(nèi)嵌觀察窗，5、裝置底座，6、成品罐，7、鹽酸裝罐，8、硝酸裝罐，9、熱水流入漏斗，10、加固支架，11、防燙隔膜，12、旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，13、運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，14、震蕩彈簧件，15、控制面板，16、致密防腐桿，17、攪動(dòng)孔，18、注入量控制容器，19、注入量觀察刻度線(xiàn)，20、限流銷(xiāo)，2...

推薦的，所述制備裝置主體的兩端緊密貼合有防燙隔膜。推薦的，所述高效攪拌裝置是由內(nèi)部頂部中間部位的旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)的震蕩彈簧件，震蕩彈簧件頂端的運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組頂端的控制面板，內(nèi)部中間部位的致密防腐桿和致密防腐桿內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的攪動(dòng)孔共同組合而成。推薦的，所述注入量精確調(diào)配裝置是由鹽酸裝罐內(nèi)部一側(cè)的嵌入引流口，嵌入引流口一端的負(fù)壓引流器，負(fù)壓引流器一端的注入量控制容器，注入量控制容器內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的注入量觀察刻度線(xiàn)和注入量控制容器一側(cè)的限流銷(xiāo)共同組合而成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本種實(shí)用新型的有益效果是:1.通過(guò)設(shè)置高效攪拌裝置，該裝置通過(guò)運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，使旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)帶動(dòng)高效攪拌裝置進(jìn)...

以帶動(dòng)該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動(dòng)。該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線(xiàn)方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請(qǐng)一并參閱圖8與圖9所示，為本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其...

從蝕刻速度及安全性的觀點(diǎn)來(lái)看，推薦為40℃至70℃，更推薦為45℃至55℃。處理時(shí)間視對(duì)象物的表面狀態(tài)及形狀等而變化，通常為30秒至120秒左右。實(shí)施例然后，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例與比較例一起進(jìn)行說(shuō)明。此外，本發(fā)明并非限定于下述實(shí)施例而解釋。制備表1及表2所示的組成的各蝕刻液，在下述條件下進(jìn)行蝕刻試驗(yàn)及蝕刻液的穩(wěn)定性試驗(yàn)。此外，表1及表2所示的組成的各蝕刻液中，剩余部分為離子交換水。另外，表1及表2所示的鹽酸的濃度為以氯化氫計(jì)的濃度。(蝕刻試驗(yàn))通過(guò)濺鍍法在樹(shù)脂上形成50nm的鈦膜，然后成膜200nm的銅膜，進(jìn)而通過(guò)電鍍銅在該銅膜上形成圖案，將所得的基板用作試樣。使用銅的蝕刻液，將試樣的濺鍍銅膜溶解...

負(fù)的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征，上述氧化物膜推薦包含sio2，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序，能夠使上述氮化物膜去除工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留和氧化物膜損傷不良問(wèn)題**少化。本發(fā)明的蝕刻液組合物包含如上選擇的添加劑，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜時(shí)，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良(參照?qǐng)D2)以及氮化物膜雖被完全去除但也造成氧化物膜損傷(damage)的工序不良(參照?qǐng)D3)的發(fā)生**少化。因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完...

所述裝置主體的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥，所述連接構(gòu)件的內(nèi)側(cè)固定連接有過(guò)濾部件，所述裝置主體的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉(cāng)，所述收集倉(cāng)的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門(mén)，所述過(guò)濾部件的頂端兩側(cè)活動(dòng)連接有滑動(dòng)蓋，所述過(guò)濾部件的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管，所述連接構(gòu)件的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管，所述連接構(gòu)件的內(nèi)部中間兩側(cè)活動(dòng)連接有活動(dòng)軸，所述連接構(gòu)件的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層。推薦的，所述硝酸鉀儲(chǔ)罐的頂部嵌入連接有密封環(huán)。推薦的，所述連接構(gòu)件的兩側(cè)嵌入連接有海綿層。推薦的，所述支撐腿的底端嵌入連接有防滑紋。推薦的，所述過(guò)濾部件的內(nèi)部?jī)蓚?cè)嵌入連接有過(guò)濾板。推薦的，所述過(guò)濾...

目前的平面顯示裝置，尤其是有機(jī)電激發(fā)光顯示器，多使用鉻金屬作為導(dǎo)線(xiàn)的材料。但是因?yàn)殂t金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導(dǎo)線(xiàn)的材料。以往曾經(jīng)有提議以銀作為平面顯示裝置的導(dǎo)線(xiàn)材料，但是因?yàn)闊o(wú)適當(dāng)穩(wěn)定的蝕刻液組成物，所以并未有***的運(yùn)用。近幾年為提高平面顯示裝置的效能，研究者仍專(zhuān)注于如何降低導(dǎo)線(xiàn)材料的電阻值。銀合金目前被視為適當(dāng)?shù)膶?dǎo)線(xiàn)材料，因其阻值低于其他的金屬。此外，含銀量超過(guò)80％以上的銀合金，雖然阻值未若銀金屬一般低，但是其阻值遠(yuǎn)低于鉻金屬。然而由于銀合金未具有適當(dāng)?shù)奈g刻液，所以并沒(méi)有廣泛應(yīng)用于晶片或面板的黃光制程。發(fā)明人爰因于此，本于積極發(fā)明的精神，亟思一種可以解決上...

將裝置主體1內(nèi)部的蝕刻液進(jìn)行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：對(duì)于這類(lèi)的回收處理裝置，首先將蝕刻液倒入進(jìn)液漏斗6并由過(guò)濾網(wǎng)7過(guò)濾到進(jìn)液管8中，之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過(guò)圓環(huán)塊13配合連接桿14和伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對(duì)電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)電解池4的功能，之后金屬銅在隔膜5左側(cè)析出；其次在蝕刻液初次電解后，通過(guò)控制面板30啟動(dòng)增壓泵16并打開(kāi)一號(hào)電磁閥18，將蝕刻液通過(guò)回流管15抽入到一號(hào)排液管17中，并由進(jìn)液管8導(dǎo)入到伸縮管9中，直至蝕刻液由噴頭...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場(chǎng)上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無(wú)氟，無(wú)硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā)，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產(chǎn)品特點(diǎn)：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩(wěn)定72H，常溫可穩(wěn)定120H；無(wú)暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結(jié)構(gòu)不同膜厚度的機(jī)種。如何挑選一款適合自己公司的...

本發(fā)明涉及一種用來(lái)在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術(shù)：以往，在蝕刻鈦時(shí)一直使用含有氫氟酸或過(guò)氧化氫的蝕刻液。例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來(lái)在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的過(guò)氧化氫、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所構(gòu)成的水溶液將pH值調(diào)整為7至9。但是，含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問(wèn)題，含有過(guò)氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩(wěn)定性的問(wèn)題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特許第4471094號(hào)說(shuō)明書(shū)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問(wèn)題本發(fā)明是鑒于所述實(shí)際情況而成，其目的在于提供一種...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場(chǎng)上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無(wú)氟，無(wú)硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā)，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產(chǎn)品特點(diǎn)：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩(wěn)定72H，常溫可穩(wěn)定120H；無(wú)暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結(jié)構(gòu)不同膜厚度的機(jī)種。蝕刻液可以用在哪些行業(yè)當(dāng)中...

可用于銀鎳合金、銀銅合金以及純銀的蝕刻，蝕刻后板面平整光滑。劑對(duì)油墨沒(méi)有影響，可用于花紋蝕刻處理。三、使用方法：1、原液使用，不須加水，操作溫度可以是25℃-60℃，溫度越高，速度越快。2、將銀板浸泡在銀蝕刻劑中。用軟毛刷來(lái)回輕輕刷動(dòng)，使藥水與銀充分均勻反應(yīng)；或者也可以用搖床，使藥水來(lái)回動(dòng)運(yùn)，使板蝕刻速度加快。但不能超聲波，以免破壞（感光）油墨。參考數(shù)據(jù)：50℃→5分鐘→0.1毫米深度。30℃→20分鐘→0.1毫米深度。3、水洗后做后續(xù)處理。哪家公司的蝕刻液是比較劃算的？江蘇京東方用的蝕刻液蝕刻液推薦貨源上述硅烷系偶聯(lián)劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite...

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問(wèn)題即在于提供一種擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機(jī)的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產(chǎn)品損耗的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備，主要借由具有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔的擋液板結(jié)構(gòu)搭配風(fēng)刀裝置的硬體設(shè)計(jì)，有效使風(fēng)刀裝置吹出的氣體得以經(jīng)由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板顯影不均等異?，F(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導(dǎo)致的基板刮傷或破片風(fēng)險(xiǎn)等主要優(yōu)勢(shì)。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)手段如下所述。為了達(dá)到上述的實(shí)施目的，本實(shí)用新型提出一種擋液板結(jié)構(gòu)，適用于一濕式蝕刻機(jī)，擋液板結(jié)構(gòu)包括...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯(lián)劑本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯(lián)劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時(shí)使用。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以，更推薦滿(mǎn)足。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦按照蝕刻液組合物的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿(mǎn)足以上以下的范圍的濃度來(lái)添加。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦為選自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、雙(三乙氧基甲...

也很難保證拖車(chē)在地磅頂部不移動(dòng)。在地磅的頂部平臺(tái)中設(shè)置有兩條卡塊40，卡塊與平臺(tái)之間形成一插槽，在地磅的頂部設(shè)置有包括氣缸50和壓緊塊60的氣動(dòng)夾緊機(jī)構(gòu)，壓緊塊位于插槽中，氣缸的伸縮桿與壓緊塊固連。拖車(chē)的邊緣沿插槽插入后，氣缸帶動(dòng)壓緊塊下行將拖車(chē)緊緊壓在地磅的頂部。實(shí)施例二本實(shí)施例基于實(shí)施例一。如圖2所示，在拖車(chē)的頂部設(shè)置有一圈圍設(shè)在儲(chǔ)存罐外部的護(hù)欄70，以防止其它物品碰撞儲(chǔ)存罐。實(shí)施例三本實(shí)施例基于實(shí)施例一。如圖3所示，在拖車(chē)的頂部設(shè)置有一集液盒，儲(chǔ)存罐安裝在集液盒80中，過(guò)濾器的出液管及灌裝頭的快速接頭從儲(chǔ)存罐中拔出時(shí)滴落的鋁蝕刻液，由集液盒進(jìn)行收集。實(shí)施例四本實(shí)施例基于實(shí)施例一。如圖4所...

提高反應(yīng)體系的穩(wěn)定性。當(dāng)體系中加入過(guò)氧化氫后有助于提高過(guò)氧化氫的穩(wěn)定性，避免由于過(guò)氧化氫分解而引發(fā)的，提高生產(chǎn)的安全性。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例用于更加清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來(lái)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝，所述工藝包括以下步驟：第一步：將純水進(jìn)行低溫處理，使純水溫度≤10℃在純水罐中備用；純水罐中設(shè)有通過(guò)電路控制的電磁閥，當(dāng)純水溫度高于10℃時(shí)，電磁閥無(wú)法打開(kāi)。第二步：配制和準(zhǔn)備原料，將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐中，經(jīng)過(guò)過(guò)濾器循環(huán)過(guò)濾，備用；將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對(duì)...

在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下，能夠調(diào)節(jié)添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導(dǎo)體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以為使包含本發(fā)明的必須成分以及除此以外的其他成分的組合物總重量成為100重量％的余量。推薦可以按照本發(fā)明的組合物總重量的2～45重量％來(lái)包含。此外，本發(fā)明提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*對(duì)上述氮化物膜選擇性蝕刻的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的蝕刻方法。上述蝕刻液組合物中說(shuō)明的、對(duì)于添加劑選擇等的一切內(nèi)容均...

618光電行業(yè)ITO**蝕刻液,專(zhuān)門(mén)針對(duì)氧化銦錫(ITO)玻璃導(dǎo)電薄膜鍍層圖線(xiàn)的脫膜蝕刻,它對(duì)于高阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)都且有優(yōu)良的蝕刻速度與效果。具有速度快、側(cè)蝕小、無(wú)沉淀、氣味小、不攻擊抗蝕層,不攻擊基材,操作控制簡(jiǎn)便靈活等非常***的優(yōu)點(diǎn),可采取自動(dòng)控制系統(tǒng)補(bǔ)加,也可人工補(bǔ)加方式。更重要的是絲毫不改變產(chǎn)品的導(dǎo)電阻抗電性數(shù)據(jù)。二、產(chǎn)品特點(diǎn)1)速度快市場(chǎng)之一般ITO蝕刻液速度大都在0.5nm/s,而KBX-618AITO蝕刻液蝕刻速度正常控制在2-10nm/s,速度快(具體設(shè)備情況有所差異)2)氣味小、無(wú)煙霧、對(duì)皮膚刺激*目前市場(chǎng)蝕...

也很難保證拖車(chē)在地磅頂部不移動(dòng)。在地磅的頂部平臺(tái)中設(shè)置有兩條卡塊40，卡塊與平臺(tái)之間形成一插槽，在地磅的頂部設(shè)置有包括氣缸50和壓緊塊60的氣動(dòng)夾緊機(jī)構(gòu)，壓緊塊位于插槽中，氣缸的伸縮桿與壓緊塊固連。拖車(chē)的邊緣沿插槽插入后，氣缸帶動(dòng)壓緊塊下行將拖車(chē)緊緊壓在地磅的頂部。實(shí)施例二本實(shí)施例基于實(shí)施例一。如圖2所示，在拖車(chē)的頂部設(shè)置有一圈圍設(shè)在儲(chǔ)存罐外部的護(hù)欄70，以防止其它物品碰撞儲(chǔ)存罐。實(shí)施例三本實(shí)施例基于實(shí)施例一。如圖3所示，在拖車(chē)的頂部設(shè)置有一集液盒，儲(chǔ)存罐安裝在集液盒80中，過(guò)濾器的出液管及灌裝頭的快速接頭從儲(chǔ)存罐中拔出時(shí)滴落的鋁蝕刻液，由集液盒進(jìn)行收集。實(shí)施例四本實(shí)施例基于實(shí)施例一。如圖4所...

12、伸縮桿；13、圓環(huán)塊；14、連接桿；15、回流管；16、增壓泵；17、一號(hào)排液管；18、一號(hào)電磁閥；19、抽氣泵；20、排氣管；21、集氣箱；22、二號(hào)排液管；23、二號(hào)電磁閥；24、傾斜板；25、活動(dòng)板；26、蓄水箱；27、進(jìn)水管；28、抽水管；29、三號(hào)電磁閥；30、控制面板。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種...

內(nèi)嵌觀察窗402通過(guò)觀察窗翻折滾輪401內(nèi)嵌入裝置內(nèi)部，工作人員可通過(guò)內(nèi)嵌的透明窗對(duì)內(nèi)部的制備狀況進(jìn)行實(shí)時(shí)查看，從而很好的體現(xiàn)了該裝置的實(shí)時(shí)性。推薦的，鹽酸裝罐7的頂端嵌入連接有熱水流入漏斗9，在進(jìn)行制備時(shí)需要向鹽酸裝罐7內(nèi)倒入一定比例的熱水進(jìn)行均勻調(diào)和，由于熱水與鹽酸接觸會(huì)產(chǎn)生較為劇烈的反應(yīng)，濺出容易傷害工作人員，通過(guò)設(shè)置熱水流入漏斗9，工作人員可沿著熱水流入漏斗9將熱水緩緩倒入鹽酸內(nèi)，從而很好的減小了發(fā)生反應(yīng)的劇烈程度，很好的起到了保護(hù)作用。推薦的，裝置底座5的內(nèi)部?jī)蓚?cè)緊密焊接有加固支架10，由于制備裝置為一體化裝置，承載設(shè)備較多，質(zhì)量較重，對(duì)底座會(huì)產(chǎn)生較大的壓力，通過(guò)設(shè)置加固支架10，加...

目前的平面顯示裝置，尤其是有機(jī)電激發(fā)光顯示器，多使用鉻金屬作為導(dǎo)線(xiàn)的材料。但是因?yàn)殂t金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導(dǎo)線(xiàn)的材料。以往曾經(jīng)有提議以銀作為平面顯示裝置的導(dǎo)線(xiàn)材料，但是因?yàn)闊o(wú)適當(dāng)穩(wěn)定的蝕刻液組成物，所以并未有***的運(yùn)用。近幾年為提高平面顯示裝置的效能，研究者仍專(zhuān)注于如何降低導(dǎo)線(xiàn)材料的電阻值。銀合金目前被視為適當(dāng)?shù)膶?dǎo)線(xiàn)材料，因其阻值低于其他的金屬。此外，含銀量超過(guò)80％以上的銀合金，雖然阻值未若銀金屬一般低，但是其阻值遠(yuǎn)低于鉻金屬。然而由于銀合金未具有適當(dāng)?shù)奈g刻液，所以并沒(méi)有廣泛應(yīng)用于晶片或面板的黃光制程。發(fā)明人爰因于此，本于積極發(fā)明的精神，亟思一種可以解決上...

當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問(wèn)題；此外，為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問(wèn)題，因此，該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小，例如：孔徑a0小于3mm，即可因毛細(xì)現(xiàn)象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內(nèi)的夾角θ等于該水滴與該第二擋...

本發(fā)明涉及蝕刻液組合物及選擇添加于該蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法。背景技術(shù)：參照?qǐng)D1，可以確認(rèn)3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand閃存可以通過(guò)在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)來(lái)制造。在不損傷氧化物膜的同時(shí)將氮化物膜完全去除是這樣的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技術(shù)之一。一般而言，氮化物膜去除工序中所使用的蝕刻液組合物利用具有防蝕能力的添加劑以獲得在不損傷氧化物膜的同時(shí)*將氮化物膜完全去除的效果。但是，想要在不損傷氧化物膜的范圍內(nèi)將氮化物膜完全去除時(shí)，會(huì)使...

提高反應(yīng)體系的穩(wěn)定性。當(dāng)體系中加入過(guò)氧化氫后有助于提高過(guò)氧化氫的穩(wěn)定性，避免由于過(guò)氧化氫分解而引發(fā)的，提高生產(chǎn)的安全性。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例用于更加清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來(lái)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝，所述工藝包括以下步驟：第一步：將純水進(jìn)行低溫處理，使純水溫度≤10℃在純水罐中備用；純水罐中設(shè)有通過(guò)電路控制的電磁閥，當(dāng)純水溫度高于10℃時(shí)，電磁閥無(wú)法打開(kāi)。第二步：配制和準(zhǔn)備原料，將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐中，經(jīng)過(guò)過(guò)濾器循環(huán)過(guò)濾，備用；將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對(duì)...