MOS管快速入門到精通
6.MOS管的開關(guān)條件N溝道—導(dǎo)通時(shí)Ug>Us,Ugs>Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通P溝道—導(dǎo)通時(shí)Ug<Us,Ugs<Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|
7.相關(guān)概念BJTBipolarJunctionTransistor雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；FETFieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件.按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為：結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）、絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的?？偟膩碚f場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
8.MOS管重要參數(shù)①封裝②類型（NMOS、PMOS）③耐壓Vds（器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的闕值的電壓）④飽和電流Id⑤導(dǎo)通阻抗Rds⑥柵極閾值電壓Vgs(th) mos管柵極電阻選取方法。重慶車規(guī)級(jí)MOS管直銷
MOS管的驅(qū)動(dòng)1、圖騰柱驅(qū)動(dòng)。上圖是標(biāo)準(zhǔn)的圖騰柱驅(qū)動(dòng)的電路圖，其實(shí)圖騰柱與推挽原理是一樣的，叫法不同而已。使用圖騰柱驅(qū)動(dòng)的目的在于給MOS管提供足夠的灌電流和拉電流。2、柵極泄放電阻。在不使用圖騰柱驅(qū)動(dòng)時(shí)，一般在柵極到地之間加泄放電阻，即上圖中的R3。由于柵源之間寄生電容的存在，當(dāng)柵極的驅(qū)動(dòng)電壓拉低時(shí)，MOS管并不會(huì)立即關(guān)斷，這個(gè)過程不僅影響了MOS的關(guān)斷速度，同時(shí)也增大了MOS的開關(guān)損耗。所以增加?xùn)艠O泄放電阻用以減小寄生電容的影響。在使用圖騰柱驅(qū)動(dòng)時(shí)，由于PNP管的存在，該電阻可以省略。3、當(dāng)?shù)蛪簜?cè)驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)MOS管時(shí)，圖騰柱并不能實(shí)現(xiàn)功能，因此需要通過自舉電路來實(shí)現(xiàn)。仔細(xì)分析上圖，相當(dāng)于采用兩級(jí)圖騰柱來驅(qū)動(dòng)MOS管。R2、R3可以調(diào)整一級(jí)圖騰柱的開啟電壓；Q3、Q4作為第二級(jí)圖騰柱來驅(qū)動(dòng)MOS管，為其提供足夠的電壓與電流；R5、R6、Q5形成負(fù)反饋，通過改變一級(jí)圖騰柱的開啟電壓，來對(duì)MOS管的柵極電壓進(jìn)行控制，使其處于可控范圍內(nèi)，避免出現(xiàn)上一節(jié)所講的寬電壓應(yīng)用環(huán)境下的情況。 重慶MOS管廠家地址mos管實(shí)物三個(gè)極怎么區(qū)分？
MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負(fù)極，柵極G正電壓時(shí)導(dǎo)電溝道建立，N溝道MOS管開始工作。同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負(fù)極，源極S接正極，柵極G負(fù)電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道建立，P溝道MOS管開始工作。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上四項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，就足以使MOS管在開關(guān)運(yùn)用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V，只能作為開關(guān)電源的開關(guān)管應(yīng)用，隨著制造工藝的不斷進(jìn)步，VDS的不斷提高，取代顯像管電視機(jī)的行輸出管也是近期能實(shí)現(xiàn)的。
P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管原理：P溝道增強(qiáng)型MOS管9因在N型襯底中生成P型反型層而得名，其通過光刻、擴(kuò)散的方法或其他手段，在N型襯底(基片)上制作出兩個(gè)摻雜的P區(qū)，分別引出電極(源極S和漏極D)，同時(shí)在漏極與源極之間的SiO2絕緣層上制作金屬柵極GQ。其結(jié)構(gòu)和工作原理與N溝道MOS管類似;只是使用的柵-源和漏-源電壓極性與N溝道MOS管相反。在正常工作時(shí)，P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必須與源極相連，而漏極對(duì)源極的電壓VDS應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個(gè)P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時(shí)為了在襯底頂表面附近形成導(dǎo)電溝道，柵極對(duì)源極的電壓也應(yīng)為負(fù)。 MOS管這一半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件的工作原理和應(yīng)用。
夾斷區(qū)和MOS管的夾斷是一回事嗎？實(shí)際不是，因?yàn)楫?dāng)驅(qū)動(dòng)電壓小于MOS的導(dǎo)通門限時(shí)，MOS管是沒有形成導(dǎo)電溝道的。而書中對(duì)MOS管的夾斷也明確寫出MOS管出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象時(shí)，管子工作在恒流區(qū)。為更好地區(qū)分這兩種工作狀態(tài)，在圖2中，我把這一區(qū)域稱為截止區(qū)。
為什么預(yù)夾斷電壓是VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)？因?yàn)閂th是MOS管的導(dǎo)通電壓，這意味著在這個(gè)電壓下，導(dǎo)電溝道剛剛形成。當(dāng)漏極電壓升高到VGD=Vth時(shí)，說明導(dǎo)電溝道靠漏極一端的電壓降到了導(dǎo)通電壓，所以MOS管漏極出現(xiàn)夾斷。
夾斷時(shí)，MOS管為什么由電流通過？闕值漏極電流為什么由VGS確定？當(dāng)VDS大到一定程度，MOS管被完全夾斷，這其實(shí)是反型層的載流子在電場作用下迅速流動(dòng)的變現(xiàn)而非導(dǎo)電溝道消失。并且，VGS大小決定了反型層的厚度，即決定了載流子的多少。在這種情況下，VDS的越增加，導(dǎo)電溝道的夾斷區(qū)越長，電阻越大，VDS主要用于克服導(dǎo)電溝道夾斷導(dǎo)致的電阻的上升對(duì)電流的影響，而VGS的增加則可拓寬導(dǎo)電溝道，所以此時(shí)的闕值漏極電流由VGS確定。 mos管要怎么測(cè)試好壞？重慶車規(guī)級(jí)MOS管低價(jià)直銷
MOS的基礎(chǔ)用法，它大量的被應(yīng)用在一些開關(guān)電源的電路上。重慶車規(guī)級(jí)MOS管直銷
無二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會(huì)導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會(huì)導(dǎo)致晶體三極管的擊穿，這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時(shí)，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時(shí)，在250C溫度下IDS=3A，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時(shí)，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性，使之不會(huì)產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象，可見采用MOS管作為開關(guān)管，其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機(jī)開關(guān)電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后，開關(guān)管損壞率大幅度降低也是一個(gè)極好的證明。 重慶車規(guī)級(jí)MOS管直銷