南京江化微的蝕刻液蝕刻液銷售公司

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-08-28

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù):2.目前,電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜,以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過(guò)化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中,對(duì)于多晶ito(p-ito)材料,所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低,但其蝕刻速度快,蝕刻的角度難以控制,且容易對(duì)ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:3.有鑒于此,為克服目前存在的技術(shù)難題,本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。4.具體地,本技術(shù)首先方面提供了一種ito蝕刻液,所述ito蝕刻液包括以下重量份數(shù)的各組分:20-22份的鹽酸,6-7份的硝酸,0.5-3份的酸抑制劑,0.5-3份的表面活性劑,以及水;其中,所述酸抑制劑包括n,n-二異丙基乙胺、n,n-二異丙基乙醇胺中的至少一種;所述表面活性劑包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一種。5.通過(guò)對(duì)蝕刻液中硝酸及鹽酸的含量進(jìn)行精確限定,以實(shí)現(xiàn)了對(duì)王水系蝕刻液蝕刻速度的初步調(diào)控,并在一定程度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)蝕刻角度的控制(蝕刻角度小于35哪家的蝕刻液比較好用點(diǎn)?南京江化微的蝕刻液蝕刻液銷售公司

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提高反應(yīng)體系的穩(wěn)定性。當(dāng)體系中加入過(guò)氧化氫后有助于提高過(guò)氧化氫的穩(wěn)定性,避免由于過(guò)氧化氫分解而引發(fā)的,提高生產(chǎn)的安全性。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例用于更加清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案,而不能以此來(lái)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝,所述工藝包括以下步驟:第一步:將純水進(jìn)行低溫處理,使純水溫度≤10℃在純水罐中備用;純水罐中設(shè)有通過(guò)電路控制的電磁閥,當(dāng)純水溫度高于10℃時(shí),電磁閥無(wú)法打開。第二步:配制和準(zhǔn)備原料,將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐中,經(jīng)過(guò)過(guò)濾器循環(huán)過(guò)濾,備用;將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐,備用。亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸需要稀釋后使用,hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2無(wú)需調(diào)配可直接用于制備蝕刻液。第三步:根據(jù)混酸配制表算出各個(gè)原料的添加量,按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐,將上述混料充分?jǐn)嚢瑁瑪嚢钑r(shí)間為3~5h。第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,繼續(xù)攪拌混勻,攪拌時(shí)間為3~5h,用磁力泵將混合液通過(guò)過(guò)濾器循環(huán)過(guò)濾。京東方用的蝕刻液蝕刻液費(fèi)用是多少哪家的蝕刻液蝕刻效果好?

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更推薦滿足。參照?qǐng)D4,在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于,能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良**少化,在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于,能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此,在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上,能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下,上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力,由此,即使沒(méi)有消耗費(fèi)用和時(shí)間的實(shí)際的實(shí)驗(yàn)過(guò)程,也能夠選擇具有目標(biāo)防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護(hù)對(duì)象膜(氧化物膜)的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來(lái)添加。例如,對(duì)于包含氧化物膜(例如,sio2)和上述氧化物膜上的氮化物膜(例如,sin)的膜在160℃以添加劑濃度1000ppm基準(zhǔn)處理10,000秒的情況下,推薦按照保護(hù)對(duì)象膜的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度添加。本發(fā)明的添加劑的防蝕能力可以通過(guò)上述添加劑的aeff值與濃度之積來(lái)計(jì)算,由蝕刻程度(etchingamount,e/a)來(lái)表示。蝕刻程度的正的值表示蝕刻工序后厚度增加。

本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù):廢銅蝕刻液含有可回收的金屬,所以需要進(jìn)行回收處理,目前通用的做法是,使用化學(xué)方法回收廢液內(nèi)的銅,或提煉成硫酸銅產(chǎn)品,工藝落后,銅回收不徹底,處理的經(jīng)濟(jì)效益不明顯,有二次污染污染物排放,一旦處理不當(dāng)往外排放,勢(shì)必對(duì)水體生態(tài)系統(tǒng)造成大的沖擊。市場(chǎng)上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡(jiǎn)單的對(duì)蝕刻液進(jìn)行回收處理,不能對(duì)蝕刻液進(jìn)行循環(huán)電解,使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分,而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會(huì)對(duì)電解池造成沖擊,進(jìn)而影響電解池的使用壽命,并且在回收處理中會(huì)產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境,也不能在回收結(jié)束后對(duì)裝置內(nèi)部進(jìn)行清理,為此,我們提出一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出的市場(chǎng)上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡(jiǎn)單的對(duì)蝕刻液進(jìn)行回收處理,不能對(duì)蝕刻液進(jìn)行循環(huán)電解,使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分,而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會(huì)對(duì)電解池造成沖擊,進(jìn)而影響電解池的使用壽命,并且在回收處理中會(huì)產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境。天馬微電子用哪家蝕刻液更多?

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對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例,基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一,請(qǐng)參閱圖1-4,本實(shí)用新型提供技術(shù)方案:高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置,包括裝置主體1、支撐腿2、電源線3和單片機(jī)4,裝置主體1的底端固定連接有支撐腿2,裝置主體1的后面一側(cè)底部固定連接有電源線3,裝置主體1的一側(cè)中間部位固定連接有控制器5,裝置主體1的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)4,裝置主體1的頂部一端固定連接有去離子水儲(chǔ)罐14,裝置主體1的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲(chǔ)罐15,磷酸儲(chǔ)罐15的底部固定連接有攪拌倉(cāng)23,攪拌倉(cāng)23的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機(jī)13,攪拌倉(cāng)23的另一側(cè)頂部固定連接有醋酸儲(chǔ)罐16,裝置主體1的頂部中間一側(cè)固定連接有硝酸儲(chǔ)罐17,裝置主體1的頂部中間另一側(cè)固定連接有陰離子表面活性劑儲(chǔ)罐18,陰離子表面活性劑儲(chǔ)罐18的另一側(cè)固定連接有聚氧乙烯型非離子表面活性劑儲(chǔ)罐19,裝置主體1的頂部另一側(cè)固定連接有氯化鉀儲(chǔ)罐20。蝕刻液 [博洋化學(xué)] 新工藝,實(shí)現(xiàn)循環(huán)使用!京東方用的蝕刻液蝕刻液費(fèi)用是多少

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將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐,備用;第三步:根據(jù)混酸配制表算出各個(gè)原料的添加量,按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐,將上述混料充分?jǐn)嚢?,攪拌時(shí)間為3~5h;第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,繼續(xù)攪拌混勻,攪拌時(shí)間為3~5h,用磁力泵將混合液通過(guò)過(guò)濾器循環(huán)過(guò)濾。作為推薦的技術(shù)方案,所述磁力泵出口壓力≤,過(guò)濾器入口壓力≤。根據(jù)制備銅蝕刻液的原料確定磁力泵的出口壓力和過(guò)濾器的入口壓力,包裝原料可以被充分過(guò)濾。作為推薦的技術(shù)方案,所述調(diào)配罐內(nèi)的溫度設(shè)定在30~35℃。調(diào)配罐的溫度不能超過(guò)35℃,由于過(guò)氧化氫的密度隨溫度的升高而減小,因此保證交底的反應(yīng)溫度有助于保證原料體系的穩(wěn)定作為推薦的技術(shù)方案,所述過(guò)濾器的微濾膜孔徑為~μm。作為推薦的技術(shù)方案,第三步中各種原料在~,調(diào)配罐內(nèi)填充氮?dú)猓瑪嚢杷俣葹?0~50r/min。作為推薦的技術(shù)方案,原料罐和調(diào)配罐大拼配量不超過(guò)罐容積的80%。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于:本發(fā)明在制備酸性銅蝕刻液的過(guò)程中,用低溫純水(10℃)替代常溫純水(25℃),將低溫純水加入反應(yīng)體系中,降低反應(yīng)體系的反應(yīng)溫度。南京江化微的蝕刻液蝕刻液銷售公司