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DDR測試

在進(jìn)行接收容限測試時，需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號。測試中被測件工作在環(huán)回模式，DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測件轉(zhuǎn)發(fā)并通過LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測端口。在測試前需要用示波器對誤碼儀輸出的信號進(jìn)行校準(zhǔn)，如DQS與DQ的時延校準(zhǔn)、信號幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測試的環(huán)境。

克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) DDR壓力測試的內(nèi)容方案；廣東DDR測試銷售電話

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什么是DDR？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節(jié)省輸入管腳，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS，存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（SDRDRAM)將時鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合，RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據(jù)時鐘指示，可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號的位置。因而，數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性，所以可將內(nèi)存劃分成4個組進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過突發(fā)模式，可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對來自相同行的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。 吉林DDR測試調(diào)試DDR信號的眼圖模板要求那些定義；

   克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng)，以成為高數(shù)信號傳輸測試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)。

   克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室重心團(tuán)隊(duì)成員從業(yè)測試領(lǐng)域10年以上。實(shí)驗(yàn)室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及附件，使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具。堅(jiān)持以專業(yè)的技術(shù)人員，嚴(yán)格按照行業(yè)測試規(guī)范，配備高性能的權(quán)能測試設(shè)備，提供給客戶更精細(xì)更權(quán)能的全方面的專業(yè)服務(wù)。     克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室提供具深度的專業(yè)知識及一系列認(rèn)證測試、預(yù)認(rèn)證測試及錯誤排除信號完整性測試、多端口矩陣測試、HDMI測試、USB測試等方面測試服務(wù)。

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測試軟件運(yùn)行后，示波器會自動設(shè)置時基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測量并匯總成一個測試報(bào)告，測試報(bào)告中列出了測試的項(xiàng)目、是否通過、spec的要求、實(shí)測值、margin等。圖5.17是自動測試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測量的一個例子。信號質(zhì)量的測試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻，并分析對信號質(zhì)量的影響。除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個關(guān)鍵參數(shù)測試失敗后，可以針對這個參數(shù)進(jìn)行Debug。此時，測試軟件會捕獲、存儲一段時間的波形并進(jìn)行參數(shù)統(tǒng)計(jì)，根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時對應(yīng)的波形位置， DDR壓力測試的內(nèi)容有那些；

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制定DDR內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)按照J(rèn)EDEC組織的定義，DDR4的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng)達(dá)到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之前，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn)。但是從LPDDR4開始，由于高性能移動終端的發(fā)展，LPDDR4的速率開始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，并于2020年在的移動終端上開始使用。DDR5的規(guī)范(JESD79-5)于2020年發(fā)布，并在2021年開始配合Intel等公司的新一代服務(wù)器平臺走向商 DDR測試眼圖測試時序測試抖動測試；自動化DDR測試安裝

DDR4信號質(zhì)量測試 DDR4-DRAM的工作原理分析；廣東DDR測試銷售電話

DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數(shù)據(jù)，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數(shù)據(jù)信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數(shù)據(jù)，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機(jī)存儲器),這種存儲器運(yùn)行速度較快，主要用于程序運(yùn)行時的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分廣東DDR測試銷售電話