選擇mos管的重要參數(shù) 選擇MOS時至關重要的2個參數(shù)是導通電阻Rds(on) 和柵極電荷 Qg。決定 MOSFET 性能的其他一些重要參數(shù)是擊穿電壓、BVDSS 和體漏極二極管，當器件用作功率二極管時必須考慮這些參數(shù)，例如在同步續(xù)流操作模式下，以及可能影響開關時間和電壓尖峰的固有電容。 1、導通電阻，RDS(on)表示 MOS管 處于導通狀態(tài)時漏極和源極端子之間的電阻。傳導損耗取決于它，RDS(on) 的值越低，傳導損耗越低。 2、總柵極電荷，QG表示柵極驅(qū)動器打開/關閉器件所需的電荷。 3、品質(zhì)因數(shù)，F(xiàn)oM是 RDS(on) 和 QG 的乘積，說明了 MOSFE...

超結(jié)MOSFET的應用超結(jié)MOSFET在多個領域中得到了廣泛應用，尤其是在以下幾個方面： 1、開關電源超結(jié)MOSFET的低導通電阻和高擊穿電壓使其非常適合用于開關電源中，能夠提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損失。 2、電動汽車（EV）超結(jié)MOSFET被廣泛應用于電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中。它們的高效能和優(yōu)異的熱性能能夠提升整車的性能和可靠性。 3、光伏逆變器光伏逆變器需要處理高電壓和大電流，超結(jié)MOSFET的性能優(yōu)勢使其成為這些系統(tǒng)中的理想選擇，能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少熱量損耗。 4、工業(yè)自動化在工業(yè)自動化領域，超結(jié)MOSFET被用于各種電機驅(qū)動和電源管理應用中。它們的高效能...

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周...

從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為**的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分***地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發(fā)電機勵磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比，不僅體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%，從中國的實際看，因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3，若采用交流電動機調(diào)速傳動, 可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時）,因此電力電子技術的發(fā)展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單，逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進...

無錫商甲半導體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 DPAK 封裝 DPAK 封裝也稱為 TO-252 封裝，屬于表面貼裝封裝形式，兼具一定的散熱能力和較小的體積。它的底部有一個較大的金屬焊盤，可直接焊接在電路板上，增加了與電路板的接觸面積，有利于熱量傳導。DPAK 封裝的熱阻一般在 50 - 80℃/W，適用于功率在 10 - 30W 的電路，在汽車電子、電源適配器等領域應用***。例如，在汽車的車燈控制電路中，DPAK 封裝的 MOS 管既能滿足功率需求，又能適應汽車電路板緊湊的布局要求。 D2PAK 封裝 D2PAK 封裝是 DPAK 封裝的升級版，也被...

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET），是一種半新型的功率半導體器件。它基于傳統(tǒng)溝槽MOSFET技術，并通過結(jié)構(gòu)上的改進來提升性能，特別是在降低導通電阻和開關損耗方面表現(xiàn)出色。接下來，我們將詳細介紹SGT MOSFET的特點、優(yōu)勢以及應用領域。 SGT MOS的關鍵結(jié)構(gòu)創(chuàng)新是將傳統(tǒng)MOSFET的單柵極拆分為兩個柵極： 控制柵（Control Gate）：位于溝槽頂部，直接控制溝道的開啟與關閉，與傳統(tǒng)MOSFET柵極功能類似。 屏蔽柵（Shield Gate）：位于溝槽側(cè)壁或底部，通常與源極連接（而非漏極），...

功率MOSFET的基本特性 靜態(tài)特性MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。 漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時，ID與UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。電力MOSFET工作在開關狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。 功率器件幾乎用于所有的電...

SGT MOS結(jié)構(gòu)優(yōu)勢電場優(yōu)化與高耐壓： 屏蔽柵的電場屏蔽作用：屏蔽柵將漏極的高電場從控制柵下方轉(zhuǎn)移至溝槽側(cè)壁，避免柵氧化層因電場集中而擊穿。橫向電場均勻化：通過電荷平衡技術（類似超結(jié)原理），漂移區(qū)的電場分布從傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的“三角形”變?yōu)椤熬匦巍保?**提升擊穿電壓（BV）。 BV提升實例：在相同外延層參數(shù)下，SGT的BV比傳統(tǒng)溝槽MOS提高15%-25%（例如原設計100V的器件可達120V）。低導通電阻（Rds(on)）：垂直電流路徑：消除平面MOS中的JFET效應，漂移區(qū)電阻（Rdrift）降低40%-60%。短溝道設計：分柵結(jié)構(gòu)允許更短的溝道長度（可至0.1μm以下），溝道...

超結(jié)MOSFET的應用超結(jié)MOSFET在多個領域中得到了廣泛應用，尤其是在以下幾個方面： 1、開關電源超結(jié)MOSFET的低導通電阻和高擊穿電壓使其非常適合用于開關電源中，能夠提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損失。 2、電動汽車（EV）超結(jié)MOSFET被廣泛應用于電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中。它們的高效能和優(yōu)異的熱性能能夠提升整車的性能和可靠性。 3、光伏逆變器光伏逆變器需要處理高電壓和大電流，超結(jié)MOSFET的性能優(yōu)勢使其成為這些系統(tǒng)中的理想選擇，能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少熱量損耗。 4、工業(yè)自動化在工業(yè)自動化領域，超結(jié)MOSFET被用于各種電機驅(qū)動和電源管理應用中。它們的高效能...

無錫商家半導體 TO-3P/247TO247是一種常見的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標準的編號。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。 TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開關管使用時，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點包括耐壓高、抗擊穿能力強等，特別適用于中壓大電流場合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值2...

功率器件主要應用領域： 電源：開關電源、不間斷電源、充電器（手機、電動車快充）、逆變器。 電機驅(qū)動：工業(yè)變頻器、電動汽車驅(qū)動電機控制器、家用電器（如空調(diào)壓縮機、洗衣機電機控制）。 電力轉(zhuǎn)換與控制：太陽能/風能發(fā)電并網(wǎng)逆變器、高壓直流輸電、工業(yè)電源。 照明：LED驅(qū)動電源。 消費電子：大功率音響功放、大型顯示設備背光電。 簡單來說，功率器件就是“電力世界的大力士開關”，負責在高壓大電流環(huán)境下高效地控制、切換和傳輸電能。 它的性能和效率對能源利用、電子設備性能有著至關重要的影響。 自上世紀80年代起，MOSFET、IGBT和功率集成電路已成為主流應用類型。南...

無錫商甲半導體提供專業(yè)選型服務 封裝選擇關鍵因素 功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。 **功率（信號級）：SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強制散熱或大面積PCB銅箔散熱時，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。 自然散熱場景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設計）。 空間限制 緊湊型設備（如手機、穿戴設備）：QFN、SOT-23。 工業(yè)設備或電源模塊：TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應用（>1MH...

無錫商甲半導體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 TO-220 封裝TO-220 封裝是一種較為經(jīng)典且常見的封裝形式，具有通用性強、成本低的特點。它通常采用塑料材質(zhì)，引腳呈直插式，便于焊接和安裝。TO-220 封裝的 MOS 管帶有一個較大的金屬散熱片，該散熱片與 MOS 管的漏極相連，能夠?qū)⑿酒a(chǎn)生的熱量傳導至外部。在自然對流的情況下，TO-220 封裝的 MOS 管散熱能力一般，熱阻約為 60 - 80℃/W 。但如果配合散熱片使用，散熱性能可得到***提升，熱阻能降低至 10 - 20℃/W，適用于功率在 10 - 50W 左右的**率電路。 對于高功率場景，優(yōu)先考慮散熱...

選擇mos管的重要參數(shù) 選擇MOS時至關重要的2個參數(shù)是導通電阻Rds(on) 和柵極電荷 Qg。決定 MOSFET 性能的其他一些重要參數(shù)是擊穿電壓、BVDSS 和體漏極二極管，當器件用作功率二極管時必須考慮這些參數(shù)，例如在同步續(xù)流操作模式下，以及可能影響開關時間和電壓尖峰的固有電容。 1、導通電阻，RDS(on)表示 MOS管 處于導通狀態(tài)時漏極和源極端子之間的電阻。傳導損耗取決于它，RDS(on) 的值越低，傳導損耗越低。 2、總柵極電荷，QG表示柵極驅(qū)動器打開/關閉器件所需的電荷。 3、品質(zhì)因數(shù)，F(xiàn)oM是 RDS(on) 和 QG 的乘積，說明了 MOSFE...

功率MOSFET是70年代末開始應用的新型電力電子器件，適合于數(shù)千瓦以下的電力電子裝置，能***縮小裝置的體積并提高其性能，預期將逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的發(fā)展趨勢是提高容量，普及應用，與其他器件結(jié)合構(gòu)成復合管，將多個元件制成組件和模塊，進而與控制線路集成在一個模塊中（這將會更新電力電子線路的概念）。此外，隨著頻率的進一步提高，將出現(xiàn)能工作在微波領域的大容量功率MOSFET。這些參數(shù)反映了功率場效應晶體管在開關工作狀態(tài)下的瞬間響應特性，在功率場效應晶體管用于電機控制等用途時特別有用。SO-8（Small Outline） 翼形引腳，體積較TO封裝縮小60%，支持自動化貼片（如...

功率器件是專門用來處理和控制高電壓、大電流電能的半導體器件，是電力電子電路的重要執(zhí)行元件。 它的主要作用和特點包括： 高功率處理能力：能夠在高電壓（可達數(shù)千伏甚至更高）和大電流（可達數(shù)百甚至數(shù)千安培）的條件下工作。主要作用是轉(zhuǎn)換、分配和管理電能，而非處理微弱信號。 開關作用：最常見的功能是作為開關。它需要能快速地開啟（導通）或關閉（關斷）高功率的電能流，控制電能輸送到負載的時間或大小。效率是關鍵：理想狀態(tài)下導通時電阻極?。▔航档汀p耗?。?，關斷時電阻極大（漏電流極小、損耗小）。 承受大功耗，需要高效散熱：由于工作在高壓大電流下，即使效率很高，器件本身也會產(chǎn)生較大的熱...

功率MOS管選型需根據(jù)應用場景、電壓、電流、熱性能等關鍵參數(shù)綜合考量。以下為具體步驟和要點： 選型步驟? 1.明確N/P溝道類型?N溝道適用于低壓側(cè)開關（如12V系統(tǒng)），P溝道適用于高壓側(cè)開關（如驅(qū)動電機）。 ? 2.確定額定電壓（VDS）?通常為總線電壓的1.5-2倍，需考慮溫度波動和瞬態(tài)電壓。 ? 3.計算額定電流（ID）?需滿足最大負載電流及峰值電流（建議留5-7倍余量）。 ? 4.評估導通損耗（RDS(on)）?導通電阻越低，損耗越小，建議優(yōu)先選擇RDS(on)≤0.5Ω的器件。 5.熱設計?滿負荷工作時表面溫度不超過120℃，需配合散熱措施。 ...

無錫商甲半導體提供專業(yè)選型 功率MOS管的關鍵參數(shù) ***比較大額定值 ***比較大額定值是功率MOS管不應超過的允許限制，即使是一瞬間也不行。這些值包括漏源電壓、柵極電壓、漏極電流等。了解這些額定值對于確保功率MOS管在正常工作范圍內(nèi)運行至關重要。超過這些值可能會導致器件損壞，降低系統(tǒng)的可靠性。 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS） 漏源擊穿電壓是漏極和源極之間的擊穿電壓，決定了器件能夠承受的最大電壓。選擇較高的擊穿電壓可以提高器件的安全性，但會增加導通電阻。漏源擊穿電壓的選擇需要在安全性和效率之間進行權(quán)衡。較高的擊穿電壓可以提供更高的安全性，但會增加功率損耗。...

選擇mos管的重要參數(shù) 選擇MOS時至關重要的2個參數(shù)是導通電阻Rds(on) 和柵極電荷 Qg。決定 MOSFET 性能的其他一些重要參數(shù)是擊穿電壓、BVDSS 和體漏極二極管，當器件用作功率二極管時必須考慮這些參數(shù)，例如在同步續(xù)流操作模式下，以及可能影響開關時間和電壓尖峰的固有電容。 1、導通電阻，RDS(on)表示 MOS管 處于導通狀態(tài)時漏極和源極端子之間的電阻。傳導損耗取決于它，RDS(on) 的值越低，傳導損耗越低。 2、總柵極電荷，QG表示柵極驅(qū)動器打開/關閉器件所需的電荷。 3、品質(zhì)因數(shù)，F(xiàn)oM是 RDS(on) 和 QG 的乘積，說明了 MOSFE...

1、超級結(jié)的性能提升方法使溝槽和溝槽間距盡可能小和深。SJ-MOS可以設計為具有較低電阻的N層，從而實現(xiàn)低導通電阻產(chǎn)品。2、超級結(jié)存在的問題本質(zhì)上超級結(jié)MOSFET比平面MOSFET具有更大的pn結(jié)面積，因此trr比平面MOSFET快，但更大的irr流動。內(nèi)部二極管的反向電流irr和反向恢復時間trr會影響晶體管關斷開關特性。 二、超結(jié)MOS的結(jié)構(gòu)超結(jié)MOSFET的創(chuàng)新在于其“超結(jié)”結(jié)構(gòu)。這個結(jié)構(gòu)通過在垂直方向上交替排列的P型和N型區(qū)域來實現(xiàn)。每個P型區(qū)域和其旁邊的N型區(qū)域共同構(gòu)成一個“超結(jié)單元”，這些單元在整個器件中交替排列。這種結(jié)構(gòu)設計使得在導通狀態(tài)下，電流可以通過較低的電阻路徑...

超結(jié)MOSFET的應用超結(jié)MOSFET在多個領域中得到了廣泛應用，尤其是在以下幾個方面： 1、開關電源超結(jié)MOSFET的低導通電阻和高擊穿電壓使其非常適合用于開關電源中，能夠提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損失。 2、電動汽車（EV）超結(jié)MOSFET被廣泛應用于電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中。它們的高效能和優(yōu)異的熱性能能夠提升整車的性能和可靠性。 3、光伏逆變器光伏逆變器需要處理高電壓和大電流，超結(jié)MOSFET的性能優(yōu)勢使其成為這些系統(tǒng)中的理想選擇，能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少熱量損耗。 4、工業(yè)自動化在工業(yè)自動化領域，超結(jié)MOSFET被用于各種電機驅(qū)動和電源管理應用中。它們的高效能...

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安，阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流的復合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程，卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的比較高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達數(shù)百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象，限制抗浪涌能力。進一步提高其...

功率場效應晶體管及其特性一、 功率場效應晶體管是電壓控制器件，在功率場效應晶體管中較多采用的是V溝槽工藝，這種工藝生產(chǎn)地管稱為VMOS場效應晶體管，它的柵極做成V型，有溝道短、耐壓能力強、跨導線性好、開關速度快等優(yōu)點，故在功率應用領域有著廣泛的應用，出現(xiàn)一種更好的叫TMOS管，它是在VMOS管基礎上改進而成的，沒有V形槽，只形成了很短的導通溝槽。二、 功率場效應晶體管的基本參數(shù)及符號1.極限參數(shù)和符號（1） 漏源極間短路時，柵漏極間的耐壓VGDS（2） 漏源極間開路時，柵漏極間的耐壓VGSO（3） 柵源極在規(guī)定的偏壓下，漏源極間耐壓VDSX（4） 擊穿電壓BVDS（5） 柵極電流IG（6） 比...

功率器件的分類定義 一、主要分類?按器件的結(jié)構(gòu)劃分??二極管?：如整流二極管、快恢復二極管，用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位；? 晶體管?：含雙極結(jié)型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開關與控制功能；? 晶閘管?：包含可控硅（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC），適用于大功率交流控制。? 按功率等級劃分??低壓小功率?：如消費電子中的驅(qū)動器件；?中高功率?：工業(yè)變頻器、電機控制器；?高壓大功率?：新能源發(fā)電、特高壓輸電系統(tǒng)。 TO-251 中小功率表面貼裝，尺寸緊湊（類似SOT-89），用于消費電子輔助電路。臺州12V至200V P MOSFET功率器件MOS產(chǎn)品...

無錫商家半導體 TO-3P/247TO247是一種常見的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標準的編號。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。 TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開關管使用時，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點包括耐壓高、抗擊穿能力強等，特別適用于中壓大電流場合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值2...

無錫商甲半導體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 TO-247 封裝 TO-247 封裝與 TO-220 封裝類似，同樣屬于直插式封裝，但體積更大，引腳更粗。其散熱片面積也相應增大，散熱能力更強，在自然對流條件下，熱阻約為 40 - 60℃/W 。TO-247 封裝能夠承受更高的功率，常用于功率在 50 - 150W 的大功率電路中，如工業(yè)電源、電動汽車的電機驅(qū)動電路等。不過，由于其體積較大，在一些對空間要求嚴格的電路板上使用會受到限制。 SOT-23 封裝 SOT-23 封裝是一種表面貼裝封裝（SMT），具有體積小、占用電路板面積少的優(yōu)勢。它的引腳數(shù)量較少，一般為 ...

關于選擇功率mosfet管的步驟: 1、找出應用的所有參數(shù)，例如最大電壓、最大電流和工作溫度。 2、找出電路的總負載。 3、計算 MOSFET 所需的峰值電流和峰值負載。 4、找出系統(tǒng)的效率。 5、計算有損耗的負載。 6、增加安全系數(shù)（視操作溫度而定）。 7、檢查設備是否將作為雙向設備運行。 關于MOSFET管的選型參數(shù)，這里只是簡單的帶過一下，如果想要了解更為詳細的參數(shù)，歡迎聯(lián)系我們無錫商甲半導體有限公司，有專業(yè)人員為您提供專業(yè)選型服務及送樣。 SOT-89 帶散熱片的表面貼裝，適用于較高功率的小信號MOSFET。寧波便攜式儲能功率器件MO...

功率場效應晶體管及其特性一、 功率場效應晶體管是電壓控制器件，在功率場效應晶體管中較多采用的是V溝槽工藝，這種工藝生產(chǎn)地管稱為VMOS場效應晶體管，它的柵極做成V型，有溝道短、耐壓能力強、跨導線性好、開關速度快等優(yōu)點，故在功率應用領域有著廣泛的應用，出現(xiàn)一種更好的叫TMOS管，它是在VMOS管基礎上改進而成的，沒有V形槽，只形成了很短的導通溝槽。二、 功率場效應晶體管的基本參數(shù)及符號1.極限參數(shù)和符號（1） 漏源極間短路時，柵漏極間的耐壓VGDS（2） 漏源極間開路時，柵漏極間的耐壓VGSO（3） 柵源極在規(guī)定的偏壓下，漏源極間耐壓VDSX（4） 擊穿電壓BVDS（5） 柵極電流IG（6） 比...

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。由...

20世紀50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來的晶閘管，因其工作可靠、壽命長、體積小、開關速度快，而在電力電子電路中得到廣泛應用。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開關電流已達數(shù)千安，能承受的正、反向工作電壓達數(shù)千伏。在此基礎上，為適應電力電子技術發(fā)展的需要，又開發(fā)出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。TO-247 大功率表面貼裝封裝，3/4引腳設計，適配高功率MOSFET/IGBT（如電動...