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LPCVD加熱系統(tǒng)是用于提供反應(yīng)所需的高溫的部分,通常由電阻絲或鹵素?zé)艚M成。溫度控制系統(tǒng)是用于監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)溫度的部分,通常由溫度傳感器和控制器組成。壓力控制系統(tǒng)是用于監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)壓力的部分,通常由壓力傳感器和控制器組成。流量控制系統(tǒng)是用于監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)氣體前驅(qū)體的流量的部分,通常由流量計(jì)和控制器組成。LPCVD設(shè)備的設(shè)備構(gòu)造還需要考慮以下幾個(gè)方面的因素:(1)反應(yīng)室的形狀和尺寸,影響了氣體在反應(yīng)室內(nèi)的流動(dòng)和分布,從而影響了薄膜的均勻性和質(zhì)量;(2)反應(yīng)室的材料和表面處理,影響了反應(yīng)室壁面上沉積的材料和顆粒污染,從而影響了薄膜的純度和清洗頻率;(3)襯底的放置方式和數(shù)量,影響了襯底之間的間距和方向,從而影響了薄膜的厚度和均勻性;(4)加熱方式和溫度分布,影響了襯底材料的熱損傷和熱預(yù)算,從而影響了薄膜的結(jié)構(gòu)和性能。先進(jìn)的真空鍍膜技術(shù)提升產(chǎn)品美觀度。福建真空鍍膜廠商
LPCVD設(shè)備的設(shè)備構(gòu)造主要包括以下幾個(gè)部分:真空系統(tǒng)、氣體輸送系統(tǒng)、反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)、流量控制系統(tǒng)等。LPCVD設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)主要有以下幾點(diǎn):(1)為了降低襯底材料的熱損傷和熱預(yù)算,提高沉積速率和產(chǎn)能,開(kāi)發(fā)新型的低溫LPCVD方法,如等離子體增強(qiáng)LPCVD(PE-LPCVD)、激光輔助LPCVD(LA-LPCVD)、熱輻射輔助LPCVD(RA-LPCVD)等;(2)為了提高薄膜材料的質(zhì)量和性能,開(kāi)發(fā)新型的高純度和高結(jié)晶度的LPCVD方法,如超高真空LPCVD(UHV-LPCVD)、分子束外延LPCVD(MBE-LPCVD)、原子層沉積LPCVD(ALD-LPCVD)等;(3)為了拓展薄膜材料的種類(lèi)和功能,開(kāi)發(fā)新型的復(fù)合和異質(zhì)的LPCVD方法,如多元化合物L(fēng)PCVD、納米結(jié)構(gòu)LPCVD、量子點(diǎn)LPCVD等。云浮小家電真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)能提升產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱(chēng)為離子鍍。蒸發(fā)源接陽(yáng)極,工件接陰極,當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后,蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于真空罩內(nèi)充有惰性氬氣,在放電電場(chǎng)作用下部分氬氣被電離,從而在陰極工件周?chē)纬梢坏入x子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引,猛烈地轟擊工件表面,致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出,從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后,接通蒸發(fā)源交流電源,蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā),進(jìn)入輝光放電區(qū)并被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子,在陰極吸引下,隨同氬離子一同沖向工件,當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過(guò)濺失離子的數(shù)量時(shí),則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。
通常在磁控濺射制備薄膜時(shí),可以通過(guò)觀察氬氣激發(fā)產(chǎn)生的等離子體的顏色來(lái)大致判斷所沉積的薄膜是否符合要求,如若設(shè)備腔室內(nèi)混入其他組分的氣體,則在濺射過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生明顯不同于氬氣等離子體的暗紅色,若混入少量氧氣,則會(huì)呈現(xiàn)較為明亮的淡紅色。也可根據(jù)所制備的薄膜顏色初步判斷其成分,例如硅薄膜應(yīng)當(dāng)呈現(xiàn)明顯的灰黑色,而當(dāng)含有少量氧時(shí),薄膜的顏色則會(huì)呈現(xiàn)偏透明的紅棕色,含有少量氮元素時(shí)則會(huì)顯現(xiàn)偏紫色。氧化銦錫(ITO)是一種優(yōu)良的導(dǎo)電薄膜,是由氧化銦和氧化錫按一定比例混合組成的氧化物,主要用于液晶顯示、觸摸屏、光學(xué)薄膜等方面。其中氧化銦和氧化錫的比例通常為90:10,當(dāng)調(diào)節(jié)兩種組分不同比例時(shí),也可以得到不同性能的ITO,ITO薄膜通常由電子束蒸發(fā)和磁控濺射制備,根據(jù)使用場(chǎng)景,在制備ITO薄膜的工藝過(guò)程中進(jìn)行調(diào)控也可制得不同滿(mǎn)足需求的ITO薄膜鍍膜層可賦予材料特定的顏色效果。
LPCVD設(shè)備中除了工藝參數(shù)外,還有一些其他因素會(huì)影響薄膜材料的質(zhì)量和性能。例如:(1)設(shè)備本身的結(jié)構(gòu)、材料、清潔、校準(zhǔn)等因素,會(huì)影響設(shè)備的穩(wěn)定性、精確性、可靠性等指標(biāo);(2)環(huán)境條件如溫度、濕度、氣壓、灰塵等因素,會(huì)影響設(shè)備的工作狀態(tài)、氣體的性質(zhì)、反應(yīng)的平衡等因素;(3)操作人員的技能、經(jīng)驗(yàn)、操作規(guī)范等因素,會(huì)影響設(shè)備的使用效率、安全性、一致性等指標(biāo)。因此,為了保證薄膜材料的質(zhì)量和性能,需要對(duì)設(shè)備進(jìn)行定期的檢查、維護(hù)、修理等工作,同時(shí)需要對(duì)環(huán)境條件進(jìn)行監(jiān)測(cè)和控制,以及對(duì)操作人員進(jìn)行培訓(xùn)和考核等工作。電子束蒸發(fā):將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結(jié)形成薄膜。莆田UV光固化真空鍍膜
鍍膜層能明顯提升產(chǎn)品的抗輻射能力。福建真空鍍膜廠商
電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法,它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍?cè)床牧现苯咏佑|容易互混的問(wèn)題。同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝,實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā),沉積多種不同的物質(zhì)。通過(guò)電子束蒸發(fā),任何材料都可以被蒸發(fā),不同材料需要采用不同類(lèi)型的坩堝以獲得所要達(dá)到的蒸發(fā)速率。電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,通過(guò)晶振控制,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,臺(tái)階覆蓋性比較差,如果需要追求臺(tái)階覆蓋性和薄膜粘附力,建議使用磁控濺射。福建真空鍍膜廠商